file fig86-4.gda
elems [145, 143]
vmap [([2,'',1.0],[0,0.0]),([0,'MEMS',1.000000],[114,3.833213]),([3,'',1.0],[0,0.0]),([1,'技術',1.000000],[113,19.000000])]
doc_set 2006

ナノテクノロジー分野の技術マップ(メモリ・ストレージ)技術領域機能MRAMFeRAM大容量化高密度化・低電圧化メモリFlashmemory高密度化・高速化・低電圧化PCRAM(PhaseChangeRAM)新規技術RRRAM(RessistanceRAM)ナノチューブメモリ有機メモリ高密度化・高速化・書換耐性向上・低電流化高密度化・低電圧化・書換耐性向上高密度化・書換耐性向上高密度化・書換耐性向上高密度化・書換耐性向上・長寿命化高密度化・書換耐性向上・高速化PMC-RAM分子メモリハードディスク系技術高密度化・高速化ストレージ光ディスク系技術高密度化(大容量化)・高速化新規技術MEMSプローブメモリカード型薄膜ホログラム・メモリ高速化、大面積化大容量化・高速化・フォトニック結晶の適応・高速光スイッチング素子等の開発・最適記録材料の開発・ナノ精度での多プローブ作製技術・超多層用低損失記録膜の開発・大面積(>12cm)への適用技術の開発・高速描画に対応した電子線リソグラフィ材料の開発・熱リソグラフィ用最適材料の開発・フォトンモード記録材料や光の利用効率の高い近接場光ヘッドの開発・ナノメートル領域での熱、光定数測定/シミュレーション手法の確立・超解像材料の探索や再生機構の解明・高い磁気異方性を有し、且つ、高温でスイッチング磁界が急滅する記録層の実現・近接場光等を利用した光(熱)記録ヘッドの実現・長スピン拡散長材料の導入・高スピン偏極材料(ハーフメタル等)の導入・RIEエッチング・ナノインプリント(トップダウン技術)と、自己組織化(ボトムアップ技術)を融合したディスク加工技術・RIE技術・磁性材料RIEの素過程の解明とプロセスへの展開・50nm幅トラックのディスク全面にわたるエッチング技術・分子的配列技術・熱的揺らぎのよる電荷消失機構の解明・材料探索の指針・ナノ領域でのイオン移動の解明・薄膜ポリマー作製技術・ナノチューブ配列をナノメーターの位置精度で制御・高品質ナノチューブ作製とSiプロセスとの融合・多値記録解明・記録機構の解明・不純物ドープによる材料開発・ヒーター形状、配置を含めたナノ加工技術の開発・ナノオーダーでの熱物性評価・多値記録解明・低融点高転移温度材料の開発・高信頼トンネル絶縁膜の作製・強誘電体ゲートFETに適した誘電体材料開発、低電圧化・立体構造キャパシタの特性確保・結晶配向性が制御され、分極特性が確保された強誘電体の低温成長・低電圧で良好な分極特性を有する強誘電体材料開発・記録とスイッチの機能を併せ持つ100nmスケールのスピントランジスタ・高磁気異方性電極と高TMR比および高効率スピン注入磁化反転の両立・100nmサイズのMJT素子におけるスピン注入磁化反転技術・原子レベルでの構造制御された新型MTJ素子技術ナノテク技術課題