file fig91-1.gda
elems [119, 130]
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doc_set 2006

MEMS分野のロードマップMEMS要素技術分類-分類-エッチング技術立体形状自由加工技術LSIプロセス融合ダメージフリーエッチング技術重要技術課題分野指標共通共通共通共通共通共通バイオバイオ無線通信無線通信成膜技術形成技術ナノ機能材料選択的形成技術LSIプロセス融合成膜技術高品位厚・薄膜成膜技術立体構造上へのパターン形成技術MEMS・半導体共存構造の低損傷エッチング技術機能性材料厚膜形成技術MEMS・半導体共存構造の低ストレス・高耐久性薄膜形成技術ナノ材料局所形成技術ナノ材料ウエハレベル形成技術化学的・バイオ的表面修飾技術機能性表面形成技術印刷方式表面修飾技術立体形状表面へのパターン形成被加工領域の損傷の低減機能性膜の厚膜化と高速化・高品質化磁性材料の高品質化配線材料の高品質化電気接点の耐久性向上低ストレス(応力)薄膜形成耐久性薄膜形成ナノ材料の選択的形成(位置制御)ナノ材料の選択的形成(厚み制御)ナノ材料の選択的形成(形成領域)選択的ナノインテグレーション選択的ナノインテグレーション選択的微小配列CNT/ナノSiワイヤーのCVD選択形成化学・バイオ物質の表面パターニング/流路内生体分子機能保持したパターン形成(ソフトリソグラフィー)/基板上適切な官能基を持つ分子の付加&自己組織化生体分子機能保持した機能分子選択的付加立体構造物への超精密化学修飾ナノ化学修飾・ダイレクトリソグラフィー高精度ロールツーロール印刷位置決め精度パターン寸法(オフセット)パターン寸法(インクジェット)修飾量位置決め精度同時処理種類数パターン寸法修飾量ディップ位置精度付加分子付加機能パターン寸法パターン解像度(微生物)パターン解像度(親溶媒性制御、タンパク等の吸着制御)位置精度位置択性大面積化処理時間集積度加工密度微細化最小領域厚み精度位置精度混載LSIの加工寸法耐疲労・吸湿・透過性(特性変化率/10年)残留応力形成膜厚開閉回数(高耐久性接点材料)低応力化と高再現性残留磁束密度残留応力低減(影響)多層化アスペクト比成膜速度膜厚混載KSIの加工寸法MEMS部の最小加工寸法MEMSの加工部の最大アスペクト比半導体領域の削れ量加工可能な方向(面)2005年2006年2007年2008年2009年2010年2011年2012年2013年2014年2015年対象面数平面(表裏面)2.20501000.1μm0.2μm0.5μm2μm5μm10nm5nm45nm90nm180nm350nm800nm材料によって異なるので何とも言えないが、1mm角程度までバルク材で可能という前提で…100μm300μm500μm1mm100μm/min50μm/min10μm/min1μm/min量産レベル、磁性材料を想定108層4層2層曲率半径100mm曲率半径500mm曲率半径1000mm100%50%バルク材に対し30%曲率半径100mm曲率半径500mm曲率半径1000mm(曲率半径は複数の膜の総合的な内部応力で決定されると仮定)10億回100億回1000億回0.1~40μm0.1~20μm0.1~10μm0.2~40μm0.5~4μm0.5GPa0.2GPa0.1GPa0.10%0.20%0.50%1%2%800nm350nm180nm90nm45nm±0.2μm±0.5μm±1μm±2μm<0.2μm<0.1μm<0.08μm<0.05μmΦ0.5μmΦ0.8μmΦ1μmΦ2μm50nm20nm数10nmプローブ数無限数プローブ数<1.000.000プローブ数<1000プローブ数<101本/20μm1本/10μm1本/250μm60秒/本10秒/本1秒/1本プローブ先端へのパターニングパターン面積100nmプローブ先端へのパターニングナノ物質マニピュレーション技術パターン面積20nmプローブ技術と流体システムによる高機能計測システム細胞内動態の観察分解能20nmエリア選択性直線選択架橋30%直線選択架橋70%直線選択架橋100%CNT:形状制御(直線/コイル)、Si:機能化発現CNT:Si:形状制御(径/長さ)ができる数10nm100nm200nm1μm流路全体の修飾nmオーダー10μm10μm流路全体の修飾nmオーダー複雑パターン複雑パターン単分子レベル100nm1μm親・疎水性機能分子との選択結合官能基導入多くのタンパク一部のタンパクDNA付加50nm±10nm±10nm1aL20aL150aL100nm50nm50種類10nm±10nm±10nm±50nm150aL2種類10種類1aL20aL1μm5μm1μm0.2μm0.1μm0.02μm全方位軸周り+正面1軸周り全方位