file fig91-2.gda
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doc_set 2006

マイクロプレス成形技術ナノインプリンティング技術光光学無機レンズ、バイナリレンズエンボシング最小パターンサイズレンズ形態面積ナノサイズ構造3次元立体構造形成非Si材料のナノインプリントバイオ鋳造技術貫通孔埋め戻し技術共通共通共通共通共通共通バイオLSIプロセス融合成形技術高度実装技術MEMS/半導体共存の接合・組立技術可動ナノ構造の形成3次元形状めっき形成技術3次元表面修飾技術3次元自由曲面エンボス加工技術3次元表面ナノ加工技術3次元マイクロ立体型形成技術大面積ナノパターン加工技術MEMS・半導体共存構造の成形技術平面形状への大面積ナノパターニング技術3次元形状表面へのナノ構造形成技術可動ナノ構造形成技術実装技術組立技術パッケージ技術自己発電&蓄電素子集積化分子機能を維持・制御する集積システムの実装ナノ材料・部品の精密組立・操作CNTの物理的マニピュレーションによるアセンブルナノスケール部品のMEMS基板上へのアセンブルアクチュエータ集積化電気的・熱的に低ダメージの小型化・一体化の接合・組立立体ナノ構造と駆動選択的に3次元形状をメッキ3次元の立体型の離型性向上やホットエンボスされた高分子材料の3次元表面を選択的に修飾ホットエンボス加工の3次元形状度ホットエンボス加工寸法3次元マイクロ型表面のナノ構造形成高離型性(微細化・高アスペクト化)高段差底部の微細パターン形成シリコン/金属3次元構造成形の平単化加工貫通孔の変形加工化ウエハレベル貫通電極形成アスペクト比(孔径/深さ)孔径ピッチ加工温度シフト量分岐数成形膜厚平坦性混載LSI加工寸法解像パターン(段差状のステップの解像度)加工寸法立体構造厚み加工寸法加工寸法曲率半径パターン位置合わせ精度パターン寸法最小寸法駆動周波数集積形態機能数×集積個数パターン形成の自由度機能スループット位置精度/速度単位面積辺りデバイス(分子機能)個数μキャパシター容量振動発電量生化学発電量0.1μW100μm振動で0.1μW10μW1cm10mW単種部品の確率的アセンブリによる単純パターン形成1機能×1個2機能×2個3機能×3個4機能×4個ハイブリッド集積ウェハレベル集積モノリシック集積多層MEMS集積3Dモノリシック集積10kHz100kHz1MHz0.5μm50nm1μm2μm1μm100nm5μm10μm10μm20μm5μm1μm<1μm1cm10cm∞∞100um5μm10μm50μm数百nm50nm20nm200μm0.5μm10nm45nm10nm20nm90nm50nm1μm180nm50nm200nm350nm100nm2μm5μm1μm段差=50μm800nm4μm5μm10μm20μm40μm1本→4本1000μm500μm1本→2本150℃100℃80℃1μm5μm10μm20μm10μm5μm2.5μm0.5μm20nm薄化により配線径微細化503次元立体構造形成技術適応材料拡張:樹脂→ガラス・金属→セラミックス100nm数100nmナノサイズ構造形成技術サブミクロン凹凸構造10mm角2インチ4インチ1μm0.3μm5μm0.6μmバイナリレンズ0.8μm1μm20μm回析格子レンズ凹単種部品のセルフアセンブリによる複雑パターン形成複数種部品の確率的アセンブリによる単純パターン形成複数種部品のセルフアセンブリによる複雑パターンの形成MEMSによる自動化CNTデバイス製造システム複数MEMSの並列動作によるCNTデバイス形成MEMSによる機能デバイスへのCNTアセンブルMEMSによるCNTの電気的・機会的特性評価MEMSによるCNT1本のマニピュレーションCNT1本対象CNT1本/min基本技術高速化±10nm±10nm、10s/本量産対応±10nm、10ms/本1mm1001001cm0.1mW0.1mW100mW10mW10mW