file fig87-22.gda
elems [63, 519]
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doc_set 2006

ナノテクノロジー分野のロードマップ(メモリ・ストレージ)大項目ストレージ評価パラメータボトルネック項目・容量・速度・消費電力・信頼性材料技術(新材料の探求)現象解明(技術的に何を目的をして明らかにするのか)ナノテクノロジーの加工技術(ナノインプリント、自己組織化、薄膜作成など)ナノテク応用新デバイス(材料が集積・加工されたナノテクノロジーの構造体)計測技術中項目2005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020300Gb/in1.3Gbpsトラック密度の増加が難しくなる高スピン偏極材料の探査(ハードメタル膜等)Bs=2.7T材料の実現スピン緩和(スピンポンピング)機構の解明磁性材料RIEの素過程の解明記録ヘッド狭トラック加工再生ヘッド狭トラック加工140nm幅110nm幅90nm幅70nm幅RIEエッチングによる微細加工技術の構築(低温・再付着を防止するプロセス確立)50nmレベル、2.5インチΦ大面積の加工技術の構築RIEによる磁性膜の大面積エッチング技術ガラス基板等の大面積エッチング技術ナノプリントによる微細加工・大面積化技術自己組織化微粒子の低温合成・配向制御・配列制御(ボトムアップ)厚み3nmMTJ素子抵抗変化率接合抵抗MgO系など50%以上2ΩμmCPP-GMRハーフメタル系など変化率:10%接合抵抗:0.1Ωμm完全偏極スピンの生成(スピンフィルタ)厚み3nm(耐圧8MV/cm)MgO系など100%以上1.5ΩμmCPP-GMR20%0.1Ωμmスピン緩和(スピンポンピング)を利用した再生ヘッドの高速化60nm幅40nm幅厚み1nm(表面積潤滑材1nm)高スピン偏極材料系100%以上0.5Ωμm二層構造、あるいは、高次の磁気異方性等を利用した高分解能ディスクの開発高出力記録ヘッドの実現ディアクリート・トラック・メディア(50nmレベル、2.5インチΦ面積)の構築低浮上ヘッドスライダの開発ヘッド浮上量8nmスピンドルモータ精度アクチュエータの高性能化NRRO15nm位置精度3nm位置精度2nmNRRO9nmピコ秒台のスピン緩和測定ピコ秒幅の強パルス磁界の発生界面、原子選択性のあるスピン状態計測技術空間分階能(10nm台)の高い磁化状態計測技術10nmレベルの磁界分布の測定数nmのヘッド浮上量の測定10nmレベル領域の熱拡散の測定位置精度<1nmMEMS技術の応用5nmパターンドメディアの構築高磁界収束記録ヘッドの実現スピントランスファーを利用した超狭ギャップ再生ヘッドの構築ボトムアップ技術とトップダウン技術の融合による超微細・大面積加工技術の構築光(熱)アシストHD3Gbps1.2Tb/in600Gb/in1.8Gbpsパターンド・メディアHD記録ヘッド磁界が足りなくなる従来記録方式による記録周波数が限界に近づく磁性半導体(室温で強磁性)・高Kuと熱反転を両立させた材料(室温で教示清掃移転材料、等)・温度分布が急峻となる材料加工精度の向上(大面積化)10nmレベル(2.54インチΦ面積)高スピン偏極材料系200%以上0.2Ωμm・高効率近接場光ヘッドの実現・高速記録ヘッド(スピン注入磁化反転の利用等)高磁気異方性と熱による反転を両立させる媒体構造の構築超高分解能化・高感度化超高分解能化パターンの超高密度化ハードディスク系技術高品位DLC保護膜形成極薄な高品位絶縁膜の形成(原子レベルのCVD技術)ヘッド走行方向の記録密度の増加が難しくなる信号の再生ヘッドの分解能が足りなくなるディスクリート・メディアHD