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doc_set 2007

ナノテクノロジー分野のロードマップ(04共通基盤_01ナノ加工_ナノインプリント・精密ビーム加工)2007200820092010201120122014201320152016201720182019202020212022202320242025202620272028202920302006出口出口製品・部品名称名称(技術名称)(新産業創造戦略の出口)出口サービス出口製品・技術分類具体的製品(要素/プロセス(出口に貢献するナノ加工の名称)技術の概要研究開発課題左記技術の実用化に向けた研究開発課題その他の新規材料系デバイスCNTトランジスター論理回路、CNTメモリ、CNTセンサー、CNTバイオセンサー基板加工プロセス・マイクロコンタクトプリント光導波路CNT配向基板加工技術の確立(リソ、エッチング)・CNT配向成膜のための技術・配向成膜のための下地基板の加工スペックスペックスペックスペックスペックスペックスペックCNTを用いたセンサーやトランジスター、メモリの試作や機能検証はあるもの、安定した製造は不可能CNTを必要な場所に、必要な数を成長可能とする技術開発安定した製造方法を用いてデバイスやセンサの機能を検証現有のデバイスやセンサに対し2桁以上の性能向上現有のデバイスやセンサに対し4桁以上の性能向上CNTの機能(導電特性、半導体、センサー特性)を制御しながら、必要な場所に、必要な数を成長可能とする技術開発CNTとMEMS、CNTと電子回路を、個々の機能を保ったまま、集積する集積化CNTの技術開発CNTをナノレベルで加工・欠陥制御することで、更に高度な機能を発現する、CNTナノ制御デバイスの技術実現CNTをとナノワイヤー、ナノ高分子自己組織材料等との組み合わせによって、更に高度なナノデバイスやセンサーを作成CNTナノ制御デバイスの技術実現CNTの機能を成膜条件や各種パラメータで評価できるCNTシミュレーション技術デバイス化したCNTの電子状態を完全に表現できるCNT完全シミュレーション技術CNTとMEMS、CNTと電子回路の機能融合を設計時に性能予測できるCNTシミュレーション技術シリカ系導波路損失=0.05dB/cmΔ=2%・ナノインプリント・電子ビーム・LIGA(LithographieGalvanoformungundAbformung)導波路側面のラフネスを低減した高効率導波路の作成高精度化製造プロセスの高速化・フェムト秒レーザー加工・ナノインプリント・3次元光造形によるテンプレート作製・2次元構造の積層化技術・3次元光造形の高精度化・高屈折材料への転写(反転構造)・作製時間の短縮・電子ビーム・集束イオンビーム・ナノインプリントナノオーダーでの金属ドット構造制御・最適構造設計・ナノメートル構造制御・ナノインプリント・電子ビーム・射出成形+ナノインプリント・電子ビーム・反応性イオンエッチング・ナノインプリント低コストのプロセス技術・ナノ構造形成による反射防止膜形成・テーパー断面を形成可能な微細パターン形成技術微細ドットを全面配置し、磁区を分離する事によって1Tbit/in2以上の記憶容量を確保する・従来プロセスとの親和性・ナノ精度射出成型技術の確立・表面形状の保護・低価格化・両面加工・パターン精度の向上・磁区の高密度化・ヘッドの位置合わせ技術・高スループット装置、低コスト化フォトニック結晶プラズモニクスデバイス情報家電光通信光デバイス電磁波制御メタマテリアル(パーフェクトレンズ)ディスプレイディスプレイ(共通技術)反射防止膜パターンドメディア磁気系ストレージメモリ・ストレージシリカ膜導波路損失=0.03dB/cm、Δ=2%以下高分子系導波路損失=0.05dB/cm、Δ=2%以下シリカ系導波路ナノインプリント加工における側壁精度の向上高分子系導波路LIGAプロセスによるモールド作成射出成形+ナノインプリント線幅=400nmギャップ間距離20nm近赤外で屈折率が負、損失=10dBパターン領域50mm(十数分で作製)160~200Gb/in2線幅=300nm線幅=200nm線幅=100nmギャップ間距離10nmギャップ距離5nmギャップ距離1nm(ナノリソへの応用)広帯域で屈折率が負、損失=3dBパターン領域A4(数十秒で作製パターン領域1×1m(数十秒で作製)300Gb/in2500~600Gb/in21.2Tb/in2・集光フェムト秒レーザーによる3次元テンプレート(レジスト材料)の高速加工技術の開発・フェムト秒レーザーによる多光子多光束干渉露光による3次元テンプレートの高速・大面積加工技術の開発・多光子露光用高性能レジスト材料の開発(高感度非線形光開始剤の開発、現像過程における収縮の低減)・可視波長域にフォトニックバンドギャップを有するPhC製造のための超微細テンプレート作製技術の開発・3次元周期構造中への欠陥導入技術の開発・多光子露光用超高性能レジスト材料の開発(シングルナノメートルオーダーの表面荒さの実現、機械的強度の向上)ナノインプリントにより作製した2次元周期構造の高精度積層化技術の開発高屈折率材料により作製した2次元反転構造の高精度積層化技術の開発高屈折率材料のテンプレートへの導入技術の開発反転構造の表面荒さをシングルナノメーターオーダーに低減する技術の開発2次元ナノ構造に関する光学特性シミュレーション技術の開発3次元ナノ構造に関する光学特性シミュレーション技術の開FDTD法によってシミュレーション不可能なシングルナノメートル領域におけるプラズモン特性シミュレーション技術の開発実施時間電子ビーム描画や収束イオンビームによる精密ナノ構造作製技術の開発(光電場増強)ナノインプリントによる高速精密ナノ構造作製技術の開発(光電場増強)低伝搬損失構造の開発(伝搬型プラズモン)集積型伝搬型プラズモンデバイスの開発屈折率が負であることを証明する技術の開発新材料を用いたメタマテリアルの開発新しいパターンの計算予測パーフェクトレンズを用いた光スイッチ、遅延回路パーフェクトレンズを用いた光理論回路射出成形+ナノインプリント加工速度の向上、大面積化ナノインプリントタクトタイム数分(ナノインプリントの限界)波長400~900nm領域ピッチ300nm深さ400nmで反射率2%以下垂直磁気記録メディアディスクリートトラックメディアHDビットパターンド・メディアHD/光(熱)アシストHD記録ヘッドトラック狭加工140nm幅90nm幅50nm幅25nm幅再生ヘッドトラック狭加工110nm幅70nm幅40nm幅20nm幅RIEによる磁性膜の50nmレベル、~25インチφ25nmレベル、~2.5インチφ大面積エッチング技術大面積の加工技術の構築大面積の加工技術の構築ガラス基板等の大面積エッチング技術50nmレベル、~2.5インチφ25nmレベル、~2.5インチφ大面積の加工技術の構築大面積の加工技術の構築ナノインプリントによる微細加工・大面積化50nmレベル、~25インチφ25nmレベル、~2.5インチφ転写技術大面積の加工技術の構築大面積の加工技術の構築CPP-GMRヘッドTMR/PMRヘッド基板加工スパッタリング法とドライエッチング法による平坦化プロセスの組み合わせ(表面粗さ0.3~0.4nm)        化学機械研磨法(CMP法)を用いた場合、研磨プロセスで発生するメディア表面のコンタミネーションや磁性層のダメージが避けられない)実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間・局在プラズモンによるエネルギー変換ディバイスの開発・局在プラズモンを利用しナノリングラフィ技術の開発実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時期を示す