file figrm_nano1_page117.gda
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doc_set 2007

ナノテクノロジー分野のロードマップ(04共通基盤_01ナノ加工_高度材料界面制御・高次組織制御)2007200820092010201120122014201320152016201720182019202020212022202320242025202620272028202920302006出口(新産業創造戦略の出口)出口製品・部品名称名称(材料・技術名称)(材料・技術の概要)材料、技術の実用化に向けた研究開発課題(複数項目)健康・福祉検査・診断安全・安心安全・安心センサー体質診断チップ耐衝撃性多孔金属材料紫外線センサーVOCセンサー水素センサーウィルス・細菌同定センサウィルス・細菌を捕らえる3次元構造体チップ表面処理技術パターニング技術燃料電池の水素漏れを検出するセンサー触媒材料の分散技術ダイヤモンド、窒化物半導体等のワイドギャップ半導体微細気孔を含有する機能性(耐衝撃性)金属材料安全構造材料結晶粒制御技術パターニング技術表面処理技術微細空間制御技術タンパク質を選択的に捕らえるチップ唾液中あるいは皮膚から浸出する体液等を抗体を選択的に捕らえ、同定・定量するチップ微小気孔分散・気孔-金属界面制御技術金属材料の中に微細な気孔を分散させることで機械的特性の低下を抑えて、変形による衝撃緩和性などを発現させた材料ダイヤモンド表面の巨大光伝導効果を利用し、低電圧で作動する紫外線領域のセンサーを開発する高品質なダイヤモンド層成長。熱安定な電極材料開発0.005~4%が検出可能で,長期的に安定したセンサーの開発ぬれ性改善による定性的補修半導体技術(真空プロセス)による表面改質ぬれ性改善による判定量的な分離補修フォトリソプロセスとウェットプロセスの併用による任意形状加工技術の開発現状レベル:190~260nm波長火災報知機への応用ウイルス、細菌センサーへの応用センサ感度>1.05(HCHOppbレベル)センサ感度>1.1(HCHOppbレベル)センサ感度>1.05(他VOCppbレベル)センサ感度>1.1(HCHOppbレベル)センサ感度>1.1(他VOCppbレベル)実用応答性。長期安定性>5年ぬれ性改善による定性的補修ぬれ性改善による判定量的な分離補修半導体技術(真空プロセス)による表面改質ぬれ性改善による定量的分離補修ウェットプロセスによる表面処理任意のたんぱく質捕捉形状の実現真空プロセスとウェットプロセスの併用による表面処理フォトリソプロセスによる高アスペクト加工技術の開発100μm以上10μm1μmナノレベルガス利用スペースホルダー法オープン/クローズドポア制御気孔内ガス制御溶解・凝固制御100μm以下10μm以下1μm以下粉末冶金技術深紫外半導体レーザー光源、半導体センサー素子の開発紫外線からラジオ波長までの統一センサーシステムの開発水素修飾ダイヤモンドの巨大光伝導効果の解明熱安定性の向上ナノポア、ナノファイバ利用技術、有機無機ハイブリッド化材料技術ナノサイズ空間制御技術(表面積拡大、多孔質化、ナノシート化、積層化)新触材料の探索研究、MEMS?PKG技術システム部材化技術(換気システム化、分解処理化)部材化技術(センサデバイス化)分子認識機能メカニズム解明信号変換・信号増幅化耐久性半年以下触媒物質の分散技術開発耐久性1~3年耐久性5年以上触媒膜と安定化物質のコンポジット化ぬれ性改善による定量的分離補ウェットプロセスによる表面処理真空プロセスとウェットプロセスの併用による表面処理任意のたんぱく質捕捉形状の実現フォトリソプロセスによる高アスペクト加工技術の開発フォトリソプロセスとウェットプロセス併用による任意形状加工技術の開発実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間実施時間