file figrm_nano1_page40.gda
elems [633, 631, 632]
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doc_set 2007

ナノテクノロジー分野のロードマップ(02電子情報_メモリ・ストレージ)大項目ストレージ中項目ハードディスク系技術評価パラメータボトルネック項目・容量・速度・消費電力・信頼性材料技術(新材料の探求)現象解明(技術的に何を目的として明らかにするのか)ナノテク応用ナノテクノロジーの加工技術(ナノインプリント、自己組織化、薄膜作製など)新デバイス(材料が集積・加工されたナノテクノロジーの構造体)計測技術20052006200720082009201020112012記録ヘッド磁界が足りなくなる201320142015201620172018201920203Gbps1.2Tb/in?光(熱)アシストHD従来記録方式による記録周波数が限界に近づく磁性半導体(室温で強磁性)加工精度の向上(大面積化)10nmレベル(2.5インチØ面積)高スピン偏極材料系200%以上0.2Ωμm?超高分解能化・高感度か超高分解能化パターンの超高密度化600Gb/in?1.8Gbps1.3Gbps300Gb/in?パターンド・メディアHDディスクリート・メディアHDトラック密度の増加が難しくなるヘッド走行方向の記録密度の増加が難しくなる信号の再生ヘッドの分解能が足りなくなる高スピン偏極材料の探査(ハーメタル膜等)Bs=2.7T材料の実現磁性材料RIEの素過程の解明スピン緩和(スピンポンピング)機構の解明厚み3nm(耐圧8MV/cm)60nm幅40nm幅70nm幅90nm幅140nm幅110nm幅極薄な高品位絶縁膜の形成(原子レベルCVD技術)記録ヘッド狭トラック加工再生ヘッド狭トラック加工厚み3nm厚み1nm(表面潤滑財nm)RIEエッチングによる微細加工技術の構築(低温・再付着を防止するプロセス確立)RIEによる磁性膜の大面積エッチング技術ガラス基板等の大面積エッチイング技術ナノプリントによる微細加工・大面積化技術自己組織微粒子の低温合成・配向制御・配列制御(ボトムアップ)50nmレベル、2.5インチØ大面積の加工技術の構築高品位DLC保護膜形成MTJ素子抵抗変化率接合抵抗MgO系など50%以上2Ωμm?MgO系など100%以上1.5Ωμm?ボトムアップ技術とトップダウン技術の融合による超微細・大面積加工技術の構築高スピン偏極材料系100%以上0.5Ωμm?高スピン偏極材料系200%以上0.2Ωμm?加工精度の向上(大面積化)10nmレベル(2.5インチØ面積)スピントランスファーを利用したっ超狭ギャップ再生ヘッドの構築スピン緩和(スピンポンピング)を利用した再生ヘッドの高速化CPP-GMR20%0.1Ωμm?完全偏極スピンの生成(スピンフィルタ)高出力記録ヘッドの実現CPP-GMRハーフメタル系など変化率:20%接合抵抗:0.1Ωμm?高磁界収束記録ヘッドの実現・高効率近接場光ヘッドの実現・高速記録ヘッド(スピン注入磁化反転の利用等)高磁気異方性と熱による反転を両立させる媒体構造の構築二層構造、あるいは、高次の磁気異方性等を利用した高分解能ディスクの開発ディスクリート・トラック・メディア(50nmレベル、2.5インチØ面積)の構築パターンドメディアの構築位置精度<1nm10nmレベル領域の熱拡散の測定数nmのヘッド浮上量の測定10nmレベル磁界分布の測定MEMS技術応用5nmNRRO9nm位置精度2nm低浮上ヘッドスライダの開発位置精度3nmNRRO15nmヘッド浮上量8nmスピンドルモータ精度アクチュエータの高性能化ピコ秒幅の強パルス磁界の発生ピコ秒台のスピン緩和測定界面。原子選択性のあるスピン状態計測技術空間分解(10nm台)の高い磁化状態計測技術・当該メモリ・ストレージシステムに要求される容量等を「評価パラメタ」として年次展開する。・上記のスペックを満たすために克服すべき課題を「ボトルネック項目」として示す。・上記のボトルネック項目をナノテクを用いて解決する方策を、「材料」「現象解明」「加工」「新デバイス」「計測」という視点で洗い出す。・これらの関連を縦(斜め)の失印で示す。・高Kuと熱反転を両立させた材料(室温で強磁性租転移材料、等)・温度分布が急酸となる材料